시료 상태고체 (분말 또는 필름 형태, 비휘발성)
시료양 및 크기분말시료 최소 50 mg, Maximum size 2 ~ 3 (cm)
전자빔을 시료에 주사할 때 시료에서 발생되는 특성 X선을 반도체 소자를 이용하여 에너지 형태로 검출하는 장비로서 일반적으로 주사전자현미경에 부착하여 사용.
연속 X선 (Continuous X-ray): 원자핵과 내각 전자에 의해 형성된 Coulombic field가 입사된 전자의 속도를 늦추어 연속 X-선을 생성하며 spectrum의 background를 형성.
특성 X선 (Characteristic X-ray): 내각 전자의 이온화에 의해 생성되며, 내각 전자가 방출되어 생긴 빈자리를 외각전자가 천이하여 채우면서 그 에너지 차이를 가지는 특성 X-선을 생성.
전 범위의 에너지 영역에서 원소 성분을 동시에 분석할 수 있고, 시편 준비가 비교적 쉬우며 데이터 수집 시간이 빠름.
Spectrum에 의한 구성 원소 분석 및 Line scanning, Mapping 등에 의한 원소 분포 분석이 가능.
성분이 0.1~1 wt% 이상 함유되어야 검출 가능.
불균일한 시료의 경우, 측정위치에 따라 오차발생.
X-ray 탈출 깊이(수 ㎛)로 인하여 극미소 시료 측정 불가능.
Powder, Bulk, 박막 시료에 대한 구성 원소의 정성 및 정량 분석
금속, 광물, 세라믹, 반도체, 플라스틱, 고무 시료 등의 조성 분석
시료 성분 원소의 분포도 분석 (Point, Line scan, Mapping)
Multilayer 시료의 각 Layer의 성분 분석
침투물질, 부식상태, 코팅 재료의 성분 분석
재료 Alloy 식별
Model | XFlsh 5010, 4010 |
---|---|
Energy resolution | 123 eV, 127 eV at Mn Kα |
Detector | Si Drift Detector (SDD) |
Active area | 10 mm2 |
Analytical element | B (z=5) ~ Am (z=95) |
Detection limit | > 0.1 % |
Model | XFlash 6|60 |
---|---|
Energy resolution | 126 eV at Mn Kα |
Detector | Si Drift Detector (SDD) |
Active area | 60 mm2 |
Analytical element | Be (z=4) ~ Cf (98) |
Detection limit | > 0.1 % |
Model | XFlash FlatQUAD |
---|---|
Energy resolution | 127 eV at Mn Kα |
Detector | Si Drift Detector (SDD) |
Active area | 60 mm2(4 x 15 mm2) |
Analytical element | B (z=5) ~ Am (z=95) |
Detection limit | > 0.1 % |